长晶科技为 USB PD 快充推出一站式 MOS 解决方案
发布日期: 2021-10-13

  长晶科技在 PD 应用市场推出一系列功率 MOSFET,采用 SGT 工艺技术,江苏各地市委专职副书记到任,其具有较低的 RDS(on),同时具备优秀的动态特性参数,以及快速开关切换能力,过流能力出色。

  地址:江苏省南京市江北新区研创园江淼路 88 号腾飞大厦 C 栋 13 楼

  长晶科技参加了 10 月 22 日充电头网主办的2021 无线充电亚洲展,展位号 C09,欢迎莅临展位洽谈。



友情链接:
Copyright 2018-2021 主页 版权所有,未经授权,禁止转载。